深圳市金城微零件有限公司

产品型号:NCE6020L,TO-251,DIP/MOS,N场,60V ,20A,0.045Ω

应用:
 * 电源开关应用
 * 硬开关和高频电路
 * 不间断电源

特点:
 * VDS =60V,ID =20A
   RDS(ON) <45mΩ @ VGS=10V
 * 高密度电池设计超低导通电阻
 * 特征雪崩电压和电流
 * 良好的稳定性和均匀性，高EAS
 * 良好的散热性能的包装
 * 特殊工艺技术，高ESD能力

封装:TO-251

品牌：NCEPOWER

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):20

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.045 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):40

输入电容Ciss(PF):500 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：11

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):72

导通延迟时间Td(on)(ns):5 typ.

上升时间Tr(ns):2.6 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):16.1 typ.

下降时间Tf(ns):2.3 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:NCE6020L,60V ,20A,0.045Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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